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NTK3043NT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTK3043NT1G

功能描述

Power MOSFET 20 V, 285 mA, N?묬hannel with ESD Protection, SOT??23

文件大小

60.56 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-11-29 11:56:00

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NTK3043NT1G规格书详情

特性 Features

• Enables High Density PCB Manufacturing

• 44 Smaller Footprint than SC−89 and 38 Thinner than SC−89

• Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment

• Low Threshold Levels, VGS(TH) < 1.3 V

• Low Profile (< 0.5 mm) Allows It to Fit Easily into Extremely Thin Environments such as Portable Electronics

• Operated at Standard Logic Level Gate Drive, Facilitating Future Migration to Lower Levels Using the Same Basic Topology

• These are Pb−Free and Halogen−Free Devices

Applications

• Interfacing, Switching

• High Speed Switching

• Cellular Phones, PDAs

产品属性

  • 型号:

    NTK3043NT1G

  • 功能描述:

    MOSFET NFET 20V 285mA TR

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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