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NTJS3151PT1G	文件：134.19 Kbytes Page：6 Pages	Trench Power MOSFET 12 V, 3.3 A, Single P?묬hannel, ESD Protected SC??8	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NTJS3151PT1G	文件：73.5 Kbytes Page：5 Pages	Trench Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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NTZS3151PT1G	文件：136.1 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET??0V,??50mA,P?묬hannelSOT??63	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
NVJS3151PT1G	文件：73.5 Kbytes Page：5 Pages	TrenchPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

型号：
NTJS3151PT1G
功能描述：
MOSFET 12V 3.3A P-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTJS3151PT1G供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

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