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NTJD5121NT2G	文件：75.2 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTJD5121NT2G	文件：108.27 Kbytes Page：5 Pages	Power MOSFET 60 V, 295 mA, Dual N?묬hannel with ESD	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTJD5121NT2G	文件：945.34 Kbytes Page：6 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NTJD5121NT2G
功能描述：
MOSFET NFET SC88D 60V 295mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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中天科工半导体（深圳）有限公司	NTJD5121NT2G	onsemi	24+	6-TSSOP,SC-88,SOT-363	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市宏桥达半导体有限公司	NTJD5121NT2G	ON/安森美	22+	SOT363	500000	原厂渠道/找正品元器件就找宏桥达/实报实货/诚信第一/	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	NTJD5121NT2G	onsemi(安森美)	24+	SOT-363-6(SC-70-6)	9908	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
深圳市达恩科技有限公司	NTJD5121NT2G	ONSemiconductor	24+	NA	3000	进口原装正品优势供应	询价
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更多NTJD5121NT2G供应商更新时间2025-5-16 15:38:00

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