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NTJD4152PT1G

Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88

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ONSEMI

安森美半导体

NTJD4152PT1G

Trench Small Signal MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NVJD4152PT1G

Trench Small Signal MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NTJD4152PT1

Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTJD4152PT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOT363
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