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NTJD4152PT1G	文件：93.89 Kbytes Page：5 Pages	Trench Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Dual P-Channel, ESD Protected SC-88	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTJD4152PT1G
功能描述：
MOSFET 20V 0.88mA P-Channel ESD Protection
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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