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NTB30N06G	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06G	文件：1.32122 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTB30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06L	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06LG	文件：1.3212 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTB30N06LG	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD30N06	文件：259.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTP30N06	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP30N06L	文件：1.31343 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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详细参数

型号：
NTB30N06G
功能描述：
MOSFET NFET 60V 30A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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