| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
7年
留言
|
onsemiD2PAK |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
9年
留言
|
ONTO-263 |
6800 |
最新 |
全新原装公司现货低价 |
|||
|
7年
留言
|
onsemiD2PAK |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
3年
留言
|
ON/安森美TO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
7年
留言
|
onsemiD2PAK |
21000 |
25+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
|||
|
7年
留言
|
onsemiD2PAK |
20948 |
25+ |
样件支持,可原厂排单订货! |
|||
|
12年
留言
|
ONTO-263 |
90000 |
25+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
|||
|
5年
留言
|
ON SemiconductorTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
11年
留言
|
ON/安森美 |
8540 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
6年
留言
|
ON/安森美SOT-263 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
|||
|
13年
留言
|
ONTO-263 |
3000 |
22+ |
|
原装正品,支持实单 |
||
|
14年
留言
|
ONTO-263 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
|
6年
留言
|
ON-安森美TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
8年
留言
|
ON/安森美SOT-263 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
|
17年
留言
|
ONTO-263 |
21654 |
24+ |
||||
|
5年
留言
|
ON? |
7500 |
1701+ |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
|
16年
留言
|
OND2PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
|||
|
6年
留言
|
ON SemiconductorTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
3年
留言
|
ON SemiconductorTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
7000 |
23+ |
||||
|
18年
留言
|
ON |
295 |
24+/25+ |
原装正品现货库存价优 |
NTB65N02R采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTB65N02R图片
NTB65N02R中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB65N02R功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB65N02R_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2PAK
NTB65N02RG功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB65N02RT4功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB65N02RT4G功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube































