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NTB52N10T4G	文件：79.42 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：79.42 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTC5D-11	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIP-2	RUILON瑞隆源上传：深圳市乐创天科技有限公司	RUILON瑞隆源
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详细参数

型号：
NTB52N10T4G
功能描述：
MOSFET 100V 52A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市跃创芯科技有限公司	NTB52N10T4G	ON	21+	TO-263	7800	绝对原装正品现货,假一罚十	询价
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深圳市高捷芯城科技有限公司	NTB52N10T4G	ONSEMI	25+	N/A	18798	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市一线半导体有限公司	NTB52N10T4G	ON	24+	D2PAK3LEAD	8866		询价
深圳市联世界科技有限公司	NTB52N10T4G	ON	24+/25+		79	原装正品现货库存价优	询价
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更多NTB52N10T4G供应商更新时间2026-2-9 16:04:00

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