选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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海芯未来半导体电子(深圳)有限公司2年
留言
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OND2PAK |
14950 |
1429+ |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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OND2PAK |
78000 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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ON9515 |
301 |
D2PAK |
只做原装正品,现货 |
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深圳市龙瀚电子有限公司4年
留言
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OND2PAK |
7441 |
16+/17+ |
渠道现货库存-原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO263 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美D2PAK |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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TI/德州仪器SOP-14 |
10000 |
22+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ON/安森美NA/ |
700 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ONTO-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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ONTO-263 |
28610 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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ONTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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ON/安森美TO-263 |
700 |
03+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ONSEMID2PAK |
90000 |
23+ |
渠道可追溯 可开增值税 正规报关 绝不损原包装 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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ONSemiD2PAK |
8863 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO-263 |
505348 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美 |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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OND2PAK |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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ONTO-263 |
4500 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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ON/安森美D2PAK |
10000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
NTB90N02采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTB90N02图片
NTB90N02中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB90N02功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB90N02_05制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 90 Amps, 24 Volts
NTB90N02G功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB90N02T4功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB90N02T4G功能描述:MOSFET 28V 90A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube