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NTB60N06G	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB60N06G	文件：1.77288 Mbytes Page：8 Pages	Marking：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTB60N06L	文件：345.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=14mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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NTB60N06LG	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET60Amps,60Volts,LogicLevelN?묬hannelTO??20andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
NTB60N06G
功能描述：
MOSFET 60V 60A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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