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NTB75N06L	文件：72.31 Kbytes Page：8 Pages	POWER MOSFET 75 AMPS, 60 VOLTS, LOGIC LEVEL PowerMOSFET75Amps,60Volts,LogicLevelN−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •Power	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTP75N06	文件：79.45 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET 75AMPERES,60VOLTSRDS(on)=9.5mΩ Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Converters •P	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTP75N06G	文件：979.22 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTP75N06L	文件：72.31 Kbytes Page：8 Pages	POWERMOSFET75AMPS,60VOLTS,LOGICLEVEL PowerMOSFET75Amps,60Volts,LogicLevelN−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •Power	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTB75N06L
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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