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NTB6411ANG	文件：145.63 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 72 A, 14 m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB6411ANG	文件：148.4 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE6411	文件：18.72 Kbytes Page：2 Pages	BilateralTriggerDiodes(DIACS) Description: TheNTE6407thruNTE6412arebilateraltriggerDIACsofferingarangeofvoltagecharacteristicsfrom28Vto63V.Thesedevicesaretriggeredfromablocking–to–conductionstateforeitherpolarityofappliedvoltagewhenevertheamplitudeofappliedvoltageexceedsthebreakoverv	NTE NTE Electronics	NTE
NTP6411AN	文件：145.63 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET100V,72A,14m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NVB6411AN	文件：148.4 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NX6411GH	文件：190.57 Kbytes Page：7 Pages	1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD.	CEL California Eastern Labs	CEL
NX6411GH	文件：177.82 Kbytes Page：8 Pages	LASERDIODE1490nmInGaAsPMQW-DFBLASERDIODEFOR2.5Gb/sFTTHPONAPPLICATION DESCRIPTION TheNX6411GHisa1490nmMultipleQuantumWell(MQW)structuredDistributedFeed-Back(DFB)laserdiodewithInGaAsmonitorPIN-PD. FEATURES •OpticaloutputpowerPo=14.0mW •Lowthresholdcurrentlth=10mA •Differentialefficiencyηd=0.3W/A •Wideoperatingtemperatu	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
NTB6411ANG
功能描述：
MOSFET NFET D2PAK 100V 72A 14MO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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