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NTB6412ANG	文件：145.42 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 58 A, 18.2 m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTE6412	文件：18.72 Kbytes Page：2 Pages	BilateralTriggerDiodes(DIACS) Description: TheNTE6407thruNTE6412arebilateraltriggerDIACsofferingarangeofvoltagecharacteristicsfrom28Vto63V.Thesedevicesaretriggeredfromablocking–to–conductionstateforeitherpolarityofappliedvoltagewhenevertheamplitudeofappliedvoltageexceedsthebreakoverv	NTE NTE Electronics	NTE
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详细参数

型号：
NTB6412ANG
功能描述：
MOSFET NFET D2PAK 100V 58A 18MO
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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