| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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12年
留言
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ONSEMI/安森美TO-263 |
9850 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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6年
留言
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ONSEMI/安森美TO-263 |
1624 |
11+12+ |
原装进口无铅现货 |
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6年
留言
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ON/安森美明嘉莱只做原装正品现货 |
2510000 |
14+ |
TO-263 |
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7年
留言
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ONSEMI/安森美TO263 |
5000 |
2025+ |
原装进口,免费送样品! |
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5年
留言
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ON/安森美D2PAK3LEAD |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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9年
留言
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ON/安森美 |
3200 |
2026 |
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14年
留言
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ONTO-263 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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6年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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10年
留言
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ONSOT-263 |
32500 |
25+ |
普通 |
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13年
留言
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ONTO-263 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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13年
留言
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ONTO-263 |
4500 |
25+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
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12年
留言
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ONSTO-263 |
90000 |
25+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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8年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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17年
留言
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OND2PAK3LEAD |
8866 |
24+ |
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16年
留言
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OND2PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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6年
留言
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ON/安森美SOT263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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3年
留言
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ON/安森美SOT263 |
7000 |
23+ |
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13年
留言
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ONTO-263 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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13年
留言
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ONTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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2年
留言
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ONSEMI/安森美TO-263 |
12500 |
25+ |
本公司 只做全新原装正品 |
NTB75N06采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NTB75N06图片
NTB75N06中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB75N06功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB75N06G功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB75N06L功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTB75N06LG功能描述:MOSFET NFET 60V .012R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB75N06LT4功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTB75N06LT4G功能描述:MOSFET NFET 60V .012R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB75N06T4功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB75N06T4G功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube



























