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深圳市科恒伟业电子有限公司

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ONSEMI/安森美TO-263

9850

2450+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市星宇佳科技有限公司

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6年 留言

ONSEMI/安森美TO-263

1624

11+12+

原装进口无铅现货

深圳市明嘉莱科技有限公司

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ON/安森美明嘉莱只做原装正品现货

2510000

14+

TO-263

深圳市坤融电子科技有限公司

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7年 留言

ONSEMI/安森美TO263

5000

2025+

原装进口,免费送样品!

深圳市河锋鑫科技有限公司

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5年 留言

ON/安森美D2PAK3LEAD

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳飞弛宏科技有限公司

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9年 留言

ON/安森美

3200

2026

深圳市昌和盛利电子有限公司

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14年 留言

ONTO-263

35890

26+

代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市凯睿晟科技有限公司

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ON/安森美SOT-263

30000

21+

优势供应 实单必成 可13点增值税

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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ONSOT-263

32500

25+

普通

深圳市胜彬电子有限公司

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ONTO-263

3000

22+

1+
:¥0.01

原装正品,支持实单

深圳市恒达亿科技有限公司

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ONTO-263

4500

25+

全新原装、诚信经营、公司现货销售

深圳市宇集芯电子有限公司

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ONSTO-263

90000

25+

一级代理商进口原装现货、价格合理

深圳市百诺芯科技有限公司

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ON/安森美SOT-263

24190

23+

原装正品代理渠道价格优势

深圳市一线半导体有限公司

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    深圳市福田区福田街道福华社区福虹路4号华强花园C座7A

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OND2PAK3LEAD

8866

24+

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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OND2PAK

50000

2023+

原装现货

深圳市安富世纪电子有限公司

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ON/安森美SOT263

8000

23+

只做原装现货

天津市博通航睿技术有限公司

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ON/安森美SOT263

7000

23+

深圳市华来深电子有限公司

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ONTO-263

8560

23+

受权代理!全新原装现货特价热卖!

深圳市华来深电子有限公司

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ONTO-263

11846

23+

一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

深圳博中泰实业有限公司

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ONSEMI/安森美TO-263

12500

25+

本公司 只做全新原装正品

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NTB75N06功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB75N06G功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB75N06L功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

NTB75N06LG功能描述:MOSFET NFET 60V .012R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB75N06LT4功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

NTB75N06LT4G功能描述:MOSFET NFET 60V .012R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB75N06T4功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB75N06T4G功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube