首页 >NTB75N03L09>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

NTB75N03L09

Power MOSFET

文件:64.9 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

文件:119.07 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09

Power MOSFET 30V 75A 8 mOhm Single N-Channel D2PAK Logic Level

This Logic Level Vertical Power MOSFET is a general purpose part that provides the \"best of design\" available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain-to-source diode has a ideal fast but soft recovery. • Ultra-Low RDS(on), Single Base, Advanced Technology\n• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits\n• High Avalanche Energy Specified\n• Pb-Free Packages are Available;

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09G

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

文件:119.07 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09G

Power MOSFET

文件:64.9 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09T4

Power MOSFET

文件:64.9 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09T4

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

文件:119.07 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09T4G

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

文件:119.07 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB75N03L09G

Power MOSFET 75 Amps, 30 Volts

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTB75N03L09

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 75A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
17+
D2PAK3LEAD
31518
原装正品 可含税交易
询价
ON/安森美
24+
TO-263
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
24+
8866
询价
ON
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
ON
6000
面议
19
DIP/SMD
询价
JINGDAO/晶导微
23+
SMB(DO-214AA)
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
ON/安森美
23+
SOT-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
ON
1709+
SOT-263
32500
普通
询价
ON/安森美
21+
SOT-263
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
ON/安森美
23+
TO-263
5200
原厂原装
询价
更多NTB75N03L09供应商 更新时间2025-10-12 14:00:00