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NTB6410AN	文件：345.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 76A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 13mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTB6410AN	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 m廓文件：150.44 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB6410AN	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：87.02 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB6410AN_15	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：87.02 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB6410ANG	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：87.02 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB6410ANG	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 m廓文件：150.44 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB6410ANG	文件：947.27 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：947.27 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTB6410ANT4G	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：87.02 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB6410ANT4G	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 m廓文件：150.44 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB6410AN	文件：300 bytes Page：1 Pages	单 N 沟道，功率 MOSFET，100V，76A，13 mΩ Power MOSFET 100V 76A 13 mOhm Single N-Channel D2PAK • Low RDS(on)\n• Minimal Conduction Losses\n• High Current Capability\n• Robust Load Performance\n• 100% Avalanche Tested\n• Voltage Overstress Safeguard\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
100
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
76
PD Max (W)：
188
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
13
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
120
Ciss Typ (pF)：
4500
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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更多NTB6410AN供应商更新时间2025-10-9 14:00:00

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