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NTB6410ANG	文件：150.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 100 V, 76 A, 13 m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB6410ANG	文件：87.02 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB6410ANG	文件：947.27 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE6410	文件：19.1 Kbytes Page：2 Pages	UnijunctionTransistor(UJT) Description: TheNTE6410isaPNunijunctiontransistorinaTO92typepackagedesignedforuseinpulseandtimingcircuits,sensingcircuitsandthyristortriggercircuits. AbsoluteMaximumRatings:(TA=+25°Cunlessotherspecified) RMSPowerDissipation,PD............	NTE NTE Electronics	NTE
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NTP6410AN	文件：1.51881 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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NUF6410MN	文件：76.15 Kbytes Page：4 Pages	6LineEMIFilterwithESDProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTB6410ANG
功能描述：
MOSFET NFET D2PAK 100V 76A 13MOH
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTB6410ANG供应商更新时间2025-5-24 17:06:00

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