首页 >NTB60N06L>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

NTB60N06L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:345.02 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTB60N06L

Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK

文件:94.01 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB60N06LG

Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK

文件:94.01 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB60N06LT4

Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK

文件:94.01 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB60N06LT4G

Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK

文件:94.01 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB60N06LT4G

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:985.91 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTB60N06L

功率 MOSFET 60V 60A 16 mΩ 单 N 沟道 D2PAK 逻辑电平

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。 • Pb Free is available;

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTB60N06L

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 60A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
24+
TO-263
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
ON
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
ON
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
询价
ON
6000
面议
19
DIP/SMD
询价
ON
20+
TO-263
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
ON/安森美
23+
SOT-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
ON
1709+
SOT-263
32500
普通
询价
ON/安森美
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
ON/安森美
21+
TO-263
10000
原装现货假一罚十
询价
ON Semiconductor
22+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原厂渠道,现货配单
询价
更多NTB60N06L供应商 更新时间2025-10-11 17:06:00