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NTB60N06T4G

MOSFET – Power, N-Channel, D2PAK 60 V, 60 A

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVB60N06 • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical Applications • Power Supplies • C

文件:216.05 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB60N06T4G

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:985.82 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NTB60N06T4G

60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK

文件:85.67 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB60N06T4G

Power MOSFET 60 V, 60 A, N?묬hannel D2PAK

文件:165.22 Kbytes 页数:9 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTB60N06T4G

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 60A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NTB60N06T4G供应商 更新时间2025-10-24 16:56:00