| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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9年
留言
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ON/安森美 |
3200 |
2026 |
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ONN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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9年
留言
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ON/安森美 |
3200 |
2026 |
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4年
留言
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ON/安森美TO-263 |
46780 |
26+ |
全新原装现货,假一赔十,支持检测 |
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12年
留言
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ON(安森美) |
14758 |
26+ |
公司只做原装正品,假一赔十 |
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3年
留言
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ON/安森美TO-263 |
5200 |
23+ |
原厂原装 |
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13年
留言
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ON(安森美)NA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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1年
留言
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ON(安森美)NA |
8000 |
26+ |
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单 |
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6年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
30000 |
21+ |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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14年
留言
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ONTO-263 |
35890 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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12年
留言
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ON/安森美TO-263 |
208787 |
一级代理原装正品,价格优势,支持实单! |
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14年
留言
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ONTO-263 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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5年
留言
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ON(安森美)NA |
60000 |
26+ |
只有原装 可配单 |
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8年
留言
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ON/安森美SOT-263 |
24190 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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5年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
23+ |
正规渠道,只有原装! |
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10年
留言
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ONTSSOP |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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12年
留言
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OND2PAK3LEAD |
53200 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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4年
留言
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ON(安森美)标准封装 |
8000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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17年
留言
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OND2PAK3LEAD |
8866 |
24+ |
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13年
留言
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ONTO-263 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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NTB60N06图片
NTB60N06T4G价格
NTB60N06T4G价格:¥6.1195品牌:ONSemi
生产厂家品牌为ONSemi的NTB60N06T4G多少钱,想知道NTB60N06T4G价格是多少?参考价:¥6.1195。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTB60N06T4G批发价格及采购报价,NTB60N06T4G销售排行榜及行情走势,NTB60N06T4G报价。
NTB60N06资讯
NTB60N06T4G MOSFET N沟道 60V 60A TO263 ON安森美
深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB60N06T4G 60V 60A TO263
NTB60N06中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB60N06功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06G功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06L功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06LG功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06LT4功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06LT4G功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06T4功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTB60N06T4G功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube



























