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NTB60N06

ON/安森美

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NTB60N06T4G

ONN/A

70000

2025+

柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳飞弛宏科技有限公司

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ON/安森美

3200

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深圳市明盛嘉电子科技有限公司

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ON/安森美TO-263

46780

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全新原装现货,假一赔十,支持检测

深圳市芯球通科技有限公司

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ON(安森美)

14758

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公司只做原装正品,假一赔十

深圳市昂芯微科技有限公司

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ON/安森美TO-263

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原厂原装

深圳市正纳电子有限公司

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ON(安森美)NA

20094

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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

嘉宏桦电子(深圳)有限公司

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ON(安森美)NA

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原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单

深圳市凯睿晟科技有限公司

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ON/安森美SOT-263

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优势供应 实单必成 可13点增值税

深圳市昌和盛利电子有限公司

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ONTO-263

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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市赛美科科技有限公司

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ON/安森美TO-263

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一级代理原装正品,价格优势,支持实单!

深圳市胜彬电子有限公司

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ONTO-263

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原装正品,支持实单

深圳市中飞凌科技有限公司

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ON(安森美)NA

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只有原装 可配单

深圳市百诺芯科技有限公司

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ON/安森美SOT-263

24190

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原装正品代理渠道价格优势

深圳市赛特兴科技有限公司

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ON(安森美)标准封装

8000

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正规渠道,只有原装!

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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ONTSSOP

86720

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全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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OND2PAK3LEAD

53200

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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市盈慧通电子有限公司

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ON(安森美)标准封装

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电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市一线半导体有限公司

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OND2PAK3LEAD

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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ONTO-263

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

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NTB60N06T4G价格:¥6.1195品牌:ONSemi

生产厂家品牌为ONSemi的NTB60N06T4G多少钱,想知道NTB60N06T4G价格是多少?参考价:¥6.1195。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,NTB60N06T4G批发价格及采购报价,NTB60N06T4G销售排行榜及行情走势,NTB60N06T4G报价。

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深圳市轩嘉盛电子有限公司NTB60N06T4G 60V 60A TO263

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NTB60N06功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB60N06G功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB60N06L功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB60N06LG功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB60N06LT4功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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NTB60N06T4功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NTB60N06T4G功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube