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NTB60N06	文件：345 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTB60N06	文件：216.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET – Power, N-Channel, D2PAK 60 V, 60 A Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVB60N06 • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical Applications • Power Supplies • C 文件：216.05 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB60N06	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK 文件：85.67 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB60N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Power MOSFET 60V 60A 14 mΩ Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. • AECQ101 Qualified and PPAP CapableNVB60N06\n• RoHS Compliant;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB60N06L	文件：345.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：345.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTB60N06T4G	文件：216.05 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET – Power, N-Channel, D2PAK 60 V, 60 A Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVB60N06 • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Typical Applications • Power Supplies • C 文件：216.05 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB60N06G	文件：1.77288 Mbytes Page：8 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.77288 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTB60N06G	文件：85.67 Kbytes Page：10 Pages	60 V, 60 A, N-Channel TO-220 and D2PAK 文件：85.67 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB60N06L	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK 文件：94.01 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB60N06LG	文件：94.01 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 60 Amps, 60 Volts, Logic Level N?묬hannel TO??20 and D2PAK 文件：94.01 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
60
PD Max (W)：
150
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
14
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
13
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
62
Ciss Typ (pF)：
2300
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NTB60N06	ON	24+	D2PAK3LEAD	8866		询价
深圳市华来深电子有限公司	NTB60N06	ON	23+	TO-263	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	NTB60N06	ONS	24+	TO-263	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	NTB60N06	ON	20+	D2PAK3LEAD	36900	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	NTB60N06	ON/安森美	23+	SOT-263	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	NTB60N06	ON	1709+	SOT-263	32500	普通	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	NTB60N06	ON/安森美	2447	TO-263	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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深圳市昂芯微科技有限公司	NTB60N06	ON/安森美	23+	TO-263	5200	原厂原装	询价

更多NTB60N06供应商更新时间2025-12-3 15:30:00

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