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NTB30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06L	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06LT4	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts, Logic Level PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06LG	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06LG	文件：1.3212 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTB30N06LT4	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06LT4G	文件：90.72 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB30N06LT4G	文件：72.83 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 30 Amps, 60 Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTB30N06L
功能描述：
MOSFET 60V 30A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多NTB30N06L供应商更新时间2025-5-28 17:06:00

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