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MTH35N15	文件：292.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW35N15E	文件：322.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW35N15E	文件：169.25 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET35AMPERES150VOLTSRDS(on)=0.05OHM ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandPWMmot	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW35N15E	文件：169.5 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB35N15	文件：305.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=37A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=50mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB35N15	文件：102.75 Kbytes Page：12 Pages	PowerMOSFET37Amps,150VoltsN-ChannelEnhancement-ModeD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP35N15	文件：73.87 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET37Amps,150Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP35N15	文件：161.4 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTP35N15G	文件：161.4 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTB35N15G
功能描述：
MOSFET 150V 37A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	NTB35N15G	ON/安森美	24+	D2PAK	20000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	NTB35N15G	VBsemi	23+	TO263	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价

更多NTB35N15G供应商更新时间2025-5-20 16:36:00

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