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NTB5405NG	文件：114 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET 40 V, 116 A, Single N?묬hannel, D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5405NG	文件：76.74 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5405NG	文件：1.07337 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 40 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTE5405	文件：18.72 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifier(SCR)0.8AmpSensitiveGate Description: TheNTE5400throughNTE5406sensitivegateSCRsemiconductorsarehalfwaveunidirectionalgatecontrolledrectifiers(SCR–thyristor)ratedat0.8ampsRMSmaximumon–statecurrent,withratedvoltagesupto600volts. Thesedevicesfeature200microampgatesensitivity,5millam	NTE NTE Electronics	NTE
NVB5405N	文件：76.74 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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PG5405	文件：51.2 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONPLASTICRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
PG5405	文件：42.97 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONPLASTICRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
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PT5405	文件：315.37 Kbytes Page：16 Pages	6-A5-V/3.3-VInputAdjustableSWIFTPowerModule	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
NTB5405NG
功能描述：
MOSFET NFET 40V 116A PB
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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