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NTB5605P	文件：62.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET MOSFET–Power,P-Channel,D2PAK-60V,-18.5A Features •DesignedforLowRDS(on) •WithstandsHighEnergyinAvalancheandCommutationModes •AECQ101Qualified−NTBV5605 •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •PowerSupplies •PWMMotorControl •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5605P	文件：144.77 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 V, -18.5 A MOSFET–Power,P-Channel,D2PAK-60V,-18.5A Features •DesignedforLowRDS(on) •WithstandsHighEnergyinAvalancheandCommutationModes •AECQ101Qualified−NTBV5605 •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •PowerSupplies •PWMMotorControl •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5605P	文件：305.25 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-18.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTB5605P	文件：94.9 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5605P	文件：70.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5605PT4	文件：62.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET MOSFET–Power,P-Channel,D2PAK-60V,-18.5A Features •DesignedforLowRDS(on) •WithstandsHighEnergyinAvalancheandCommutationModes •AECQ101Qualified−NTBV5605 •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Applications •PowerSupplies •PWMMotorControl •Converters	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5605P_05	文件：70.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5605PG	文件：70.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB5605PG	文件：954.43 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTB5605PT4	文件：70.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTB5605P
功能描述：
MOSFET -60V -18.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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