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NTB5605P	文件：62.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET MOSFET – Power, P-Channel, D2PAK -60 V, -18.5 A Features • Designed for Low RDS(on) • Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes • AEC Q101 Qualified − NTBV5605 • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • Power Supplies • PWM Motor Control • Converters 文件：62.16 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5605P	文件：144.77 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 V, -18.5 A MOSFET – Power, P-Channel, D2PAK -60 V, -18.5 A Features • Designed for Low RDS(on) • Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes • AEC Q101 Qualified − NTBV5605 • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • Power Supplies • PWM Motor Control • Converters 文件：144.77 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5605P	文件：305.25 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= -18.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：305.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
NTB5605P	文件：94.9 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp 文件：94.9 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5605P	文件：70.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp 文件：70.07 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5605PT4	文件：62.16 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET MOSFET – Power, P-Channel, D2PAK -60 V, -18.5 A Features • Designed for Low RDS(on) • Withstands High Energy in Avalanche and Commutation Modes • AEC Q101 Qualified − NTBV5605 • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Applications • Power Supplies • PWM Motor Control • Converters 文件：62.16 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5605P_05	文件：70.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp 文件：70.07 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5605PG	文件：954.43 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：954.43 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTB5605PG	文件：70.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp 文件：70.07 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB5605PT4	文件：70.07 Kbytes Page：7 Pages	Power MOSFET -60 Volt, -18.5 Amp 文件：70.07 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-60
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2
ID Max (A)：
-18.5
PD Max (W)：
88
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
125
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
13
Ciss Typ (pF)：
730
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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