首页 >NTB25P06G>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

NTB25P06G

Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NVB25P06

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

SSD25P06

P-ChEnhancementModePowerMOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

TS25P06G

SinglePhase25.0Amps.GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS25P06G

SinglePhase25.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS25P06G

SinglePhase25.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS25P06G

SinglePhase25.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS25P06G

25A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS25P06G

GlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TS25P06G-K

25A,50V-1000VGlassPassivatedBridgeRectifiers

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    NTB25P06G

  • 功能描述:

    MOSFET -60V -27.5A Pchannel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
24+
D2PAK
20000
只做原厂渠道 可追溯货源
询价
ON/安森美
17+
D2PAK3LEAD
31518
原装正品 可含税交易
询价
ON/安森美
24+
TO-263
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
ON
24+
D2PAK3LEAD
8866
询价
ONS
17+
D2PAK
6200
100%原装正品现货
询价
ONS
23+
TO263D2PAK
1225
专业优势供应
询价
ON
23+
TO-263
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
ONS
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
询价
ON
6000
面议
19
DIP/SMD
询价
JD/晶导
23+
SMB(DO-214AA)
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
询价
更多NTB25P06G供应商 更新时间2025-7-24 11:04:00