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NTB23N03R

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 45mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:305.64 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTB23N03R

Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N?묬hannel D2PAK

文件:63.77 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB23N03RG

Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N?묬hannel D2PAK

文件:63.77 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB23N03RT4

Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N?묬hannel D2PAK

文件:63.77 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB23N03RT4G

Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N?묬hannel D2PAK

文件:63.77 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB23N03R

Power MOSFET 25V 23A 45 mOhm Single N-Channel D2PAK

PWR MOSFET 23A, 25V IN D2PAK PACKAGE • Planar HD3e Process for Fast Switching performance\n• Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss\n• Low Ciss to Minimize Driver Loss\n• Low Gate Charge\n• Optimized for High Side Switching in High-Efficiency DC-DC Converters\n• Pb-Free Packages are Available;

ONSEMI

安森美半导体

NTB23N03RT4

Power MOSFET 23 Amps, 25 Volts N−Channel D2PAK

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTB23N03R

  • 功能描述:

    MOSFET 25V 23A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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原装正品现货库存价优
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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一级代理商进口原装现货、价格合理
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ON/安森美
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
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原装正品代理渠道价格优势
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SOT-263
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全新原装正品现货,支持订货
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ON/安森美
21+
SO-263
10000
原装现货假一罚十
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更多NTB23N03R供应商 更新时间2025-12-13 14:30:00