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NTB25P06

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= -27.5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= -60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 75mΩ(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件:305.45 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

NTB25P06

Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK

文件:56.24 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB25P06

Power MOSFET

文件:135.04 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB25P06

单 P 沟道,功率 MOSFET,-60V,-27.5A,82 mΩ

This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and comm • RoHS Compliant;

ONSEMI

安森美半导体

NTB25P06G

Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK

文件:56.24 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB25P06T4

Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK

文件:56.24 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB25P06T4G

Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK

文件:56.24 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB25P06T4G

丝印:D2PAK;Package:TO-263;P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.58462 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -60

  • VGS Max (V):

    15

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    -27.5

  • PD Max (W):

    120

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    82

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    33

  • Ciss Typ (pF):

    1200

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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SOT-263
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更多NTB25P06供应商 更新时间2025-11-30 9:02:00