| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NTB25P06 | isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-27.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | |
NTB25P06 | Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
NTB25P06 | Power MOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | |
Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | ONSEMI | ||
Marking：D2PAK；Package：TO-263；P-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI |
详细参数
- 型号：
NTB25P06
- 功能描述：
MOSFET -60V -27.5A Pchannel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
D2PAK |
20000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-263 |
30000 |
只做正品原装现货 |
询价 | ||
ON |
24+ |
D2PAK3LEAD |
8866 |
询价 | |||
ON |
23+ |
TO-263 |
28610 |
询价 | |||
ONSEMICONDU |
24+ |
原装进口原厂原包接受订货 |
400 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
ONS |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
询价 | ||
ONSEMICONDUC |
6000 |
面议 |
19 |
DIP/SMD |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-263 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |
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