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NTB25P06T4G

Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK

文件:56.24 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB25P06T4G

丝印:D2PAK;Package:TO-263;P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.58462 Mbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

NVB25P06T4G

Power MOSFET

文件:135.04 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NTB25P06T4

Power MOSFET -60 V, -27.5 A, P-Channel D2PAK

文件:56.24 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    NTB25P06T4G

  • 功能描述:

    MOSFET -60V -27.5A Pchannel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
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D2PAK3LEAD
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更多NTB25P06T4G供应商 更新时间2026-2-4 14:00:00