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NTD18N06L	文件：92.06 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD18N06L	文件：334.95 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06LG	文件：897.07 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD18N06LG	文件：79.98 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTDV18N06L	文件：299.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=65mΩ(Max)@VGS=5V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTDV18N06L	文件：169.03 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET18A,60V,LogicLevelN.ChannelDPAK MOSFET–Power,N-Channel,LogicLevel,DPAK18A,60V Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •AECQ101Qualified−NTDV18N06L •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant Typical	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
NTB18N06L
功能描述：
MOSFET 60V 15A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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