| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
4800 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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OND2PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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ONTO-263 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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ONTO-263 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美) |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscD2PAK/TO-263 |
250 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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ONTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85800 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
65210 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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ONSEMINA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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ON/安森美TO-263 |
38000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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ON/安森美NA |
6000 |
23+ |
可订货,请确认 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ON/安森美D2PAK-3 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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ON/安森美NA |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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ON SemiconductorTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ON/安森美NA |
8435 |
22+ |
可订货,请确认 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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ON/安森美D2PAK |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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ON/安森美NA |
10000 |
22+ |
绝对全新原装现货热卖 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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OND2PAK-3 |
37650 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
NTB22N06采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
NTB22N06图片
NTB22N06T4中文资料Alldatasheet PDF
更多NTB22N06制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
NTB22N06L制造商:ON Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
NTB22N06LT4功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
NTB22N06T4功能描述:MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
