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13N10	文件：773.51 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ADM13N10S	文件：654.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Applications: ●Li-BatteryManagementSystem ●USBPowerDelivery ●BLDCDrive ●SynchronousRectifica	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
CEB13N10	文件：586.14 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,12.8A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
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CEB13N10	文件：98.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,12.8A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
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详细参数

型号：
NTB13N10G
功能描述：
MOSFET 100V 13A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	NTB13N10G	ON	24+	D2PAK3LEAD	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	NTB13N10G	ON	23+	TO-263(D2PAK	3500	专业优势供应	询价
深圳市华来深电子有限公司	NTB13N10G	ON	23+	TO-263	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	NTB13N10G	ON Semiconductor	22+	TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市胜彬电子有限公司	NTB13N10G	ON	22+	TO-263	3000	原装正品,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	NTB13N10G	O	23+	D2PAK	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NTB13N10G	ON Semiconductor	2022+	TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价

更多NTB13N10G供应商更新时间2025-5-18 15:30:00

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