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NTB18N06T4	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 15 A, 60 V, N?묬hannel TO??20 & D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB18N06T4G	文件：90.57 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 15 A, 60 V, N?묬hannel TO??20 & D2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD18N06T4G	文件：897.03 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
NTB18N06T4
功能描述：
MOSFET 60V 15A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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