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NTB13N10T4G	文件：83 Kbytes Page：8 Pages	100 V, 13 A, N?묬hannel Enhancement?묺ode D2PAK 文件：83 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTB35N15T4G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	ONSEMI/安森美上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	ONSEMI/安森美
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详细参数

型号：
NTB13N10T4
功能描述：
MOSFET 100V 13A N-Channel
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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