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NE350184C	文件：269.44 Kbytes Page：8 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：269.44 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
NE350184C	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：223.26 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE350184C-T1	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：223.26 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE350184C-T1	文件：269.44 Kbytes Page：8 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：269.44 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
NE350184C-T1A	文件：269.44 Kbytes Page：8 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：269.44 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
NE350184C-T1A	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：223.26 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE350184C-T1-A	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：223.26 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE350184C-T1A-A	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	丝印：A；Package：84C；HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：223.26 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE350184C	文件：300 bytes Page：1 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET	CEL	CEL
NE350184C	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：微型-X 陶瓷 84C；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 4V 20GHZ MICRO-X	CEL	CEL

产品属性

产品编号：
NE350184C
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
HFET
频率：
20GHz
增益：
13.5dB
额定电流（安培）：
70mA
噪声系数：
0.7dB
封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
供应商器件封装：
84C
描述：
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多NE350184C供应商更新时间2025-10-11 11:00:00

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