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NE350184C-T1A	文件：269.44 Kbytes Page：8 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：269.44 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
NE350184C-T1A	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：223.26 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE350184C-T1A-A	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	丝印：A；Package：84C；HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：223.26 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE350184C-T1	文件：223.26 Kbytes Page：11 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：223.26 Kbytes 页数：11 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE350184C-T1	文件：269.44 Kbytes Page：8 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure and high associated gain NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz • Micro-X ceramic (84C) package APPLICATIONS • 20 GHz-band DBS LNB • Other K-band communication systems 文件：269.44 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL

详细参数

型号：
NE350184C-T1A
功能描述：
射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
RoHS：
否
制造商：
TriQuint Semiconductor
技术类型：
pHEMT
频率：
500 MHz to 3 GHz
增益：
10 dB
噪声系数：
正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
4 S 漏源电压
闸/源击穿电压：
- 8 V
漏极连续电流：
3 A
最大工作温度：
+ 150 C
功率耗散：
10 W

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