NE350184C中文资料HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET数据手册CEL规格书
| 厂商型号 |
NE350184C |
| 参数属性 | NE350184C 封装/外壳为微型-X 陶瓷 84C；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 20GHZ MICRO-X |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 微型-X 陶瓷 84C |
| 制造商 | CEL California Eastern Labs |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 13:31:00 |
| 人工找货 | NE350184C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE350184C规格书详情
简介
NE350184C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的NE350184C晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 产品编号：
NE350184C
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
20GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.7dB
- 封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装：
84C
- 描述：
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SMT36 |
60000 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
SMT36 |
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24+ |
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RENESAS/瑞萨 |
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RENESAS/瑞萨 |
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SMT36 |
50000 |
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CEL |
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微型-X 陶瓷 84C |
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原装RENESAS |
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询价 |
