NE3210S01数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF
| 厂商型号 |
NE3210S01 |
| 参数属性 | NE3210S01 封装/外壳为4-SMD；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 12GHZ S01 |
| 功能描述 | X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD |
| 制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
| 中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
| 原厂标识 | Renesas |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 14:01:00 |
| 人工找货 | NE3210S01价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3210S01规格书详情
描述 Description
DESCRIPTION
The NE3210S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 160 µm
特性 Features
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.35 dB TYP. Ga = 13.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 160 µm
技术参数
- 产品编号：
NE3210S01
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
15mA
- 噪声系数：
0.35dB
- 封装/外壳：
4-SMD
- 供应商器件封装：
SMD
- 描述：
FET RF 4V 12GHZ S01
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
3000 |
公司存货 |
询价 | ||||
NEC |
23+ |
SMT86 |
9562 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
NEC(日电电子) |
24+ |
N/A |
57048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
2015+ |
2710 |
公司现货库存 |
询价 | ||||
RENESAS/瑞萨 |
ROHS/new original |
SMT86 |
10500 |
原装元器件供应现货支持。咨询更多现货库存,支持样 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
BGA |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SMT86 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
假一赔十 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
2023+ |
8000 |
进口原装现货 |
询价 |
