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NE350184C-T1A-A中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

NE350184C-T1A-A
厂商型号

NE350184C-T1A-A

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

丝印标识

A

封装外壳

84C

文件大小

223.26 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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NE350184C-T1A-A规格书详情

FEATURES

• Super low noise figure and high associated gain

NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz

• Micro-X ceramic (84C) package

APPLICATIONS

• 20 GHz-band DBS LNB

• Other K-band communication systems

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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