NE350184C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE350184C |
| 参数属性 | NE350184C 封装/外壳为微型-X 陶瓷 84C；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 20GHZ MICRO-X |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 微型-X 陶瓷 84C |
| 文件大小 |
269.44 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
| 人工找货 | NE350184C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE350184C规格书详情
NE350184C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE350184C晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
• Super low noise figure and high associated gain
NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz
• Micro-X ceramic (84C) package
APPLICATIONS
• 20 GHz-band DBS LNB
• Other K-band communication systems
产品属性
更多- 产品编号：
NE350184C
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
20GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.7dB
- 封装/外壳：
微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装：
84C
- 描述：
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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