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NE350184C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE350184C

参数属性

NE350184C 封装/外壳为微型-X 陶瓷 84C;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

功能描述

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

封装外壳

微型-X 陶瓷 84C

文件大小

269.44 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

CEL

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数据手册

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更新时间

2025-12-17 11:02:00

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NE350184C规格书详情

NE350184C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE350184C晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

FEATURES

• Super low noise figure and high associated gain

NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz

• Micro-X ceramic (84C) package

APPLICATIONS

• 20 GHz-band DBS LNB

• Other K-band communication systems

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE350184C

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    20GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.7dB

  • 封装/外壳:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供应商器件封装:

    84C

  • 描述:

    FET RF 4V 20GHZ MICRO-X

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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