NE350184C分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
NE350184C |
| 参数属性 | NE350184C 封装/外壳为微型-X 陶瓷 84C;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 4V 20GHZ MICRO-X |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 微型-X 陶瓷 84C |
| 文件大小 |
269.44 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-17 11:02:00 |
| 人工找货 | NE350184C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NE350184C规格书详情
NE350184C属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE350184C晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
K-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FEATURES
• Super low noise figure and high associated gain
NF = 0.7 dB TYP., Ga = 13.5 dB TYP. @ f = 20 GHz
• Micro-X ceramic (84C) package
APPLICATIONS
• 20 GHz-band DBS LNB
• Other K-band communication systems
产品属性
更多- 产品编号:
NE350184C
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
20GHz
- 增益:
13.5dB
- 额定电流(安培):
70mA
- 噪声系数:
0.7dB
- 封装/外壳:
微型-X 陶瓷 84C
- 供应商器件封装:
84C
- 描述:
FET RF 4V 20GHZ MICRO-X
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
25+ |
84C |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SMT36 |
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23+ |
SMT36 |
50000 |
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NEC |
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原装RENESAS |
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CEL |
22+ |
84C |
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NEC |
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