| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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NECSOT343 |
5000 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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NECSOT343 |
7850 |
23+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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14年
留言
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NECSOT343 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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16年
留言
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NECSOT343 |
10000 |
25+ |
全新原装现货库存 |
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15年
留言
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NECSOT |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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13年
留言
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NECSOT-343 |
663300 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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3年
留言
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NECSOT343-4 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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6年
留言
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NECSOT |
99680 |
26+ |
只做原装,欢迎来电资询 |
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17年
留言
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3000 |
24+ |
公司存货 |
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10年
留言
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NEC原厂原封装 |
86720 |
26+ |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
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17年
留言
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NECSOT-343SOT-323-4 |
6200 |
24+ |
新进库存/原装 |
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3年
留言
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NECSOT343-4 |
20000 |
22+ |
公司只做原装 品质保障 |
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1年
留言
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NECSOT |
20000 |
26+ |
公司只有正品,实单来谈 |
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8年
留言
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NECSOT343-4 |
890 |
2008 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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6年
留言
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NECSOT343-4 |
890 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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1年
留言
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NECSOT343-4 |
890 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价! |
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3年
留言
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NECSOT |
8000 |
26+ |
只有原装 |
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1年
留言
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TSSOP-14 |
10 |
25+ |
原厂原包装,终端BOM表可配单 |
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11年
留言
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NECSOT |
20000 |
25+ |
原装 |
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3年
留言
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NECSOT |
20000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
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NE34018图片
NE34018资讯
NE34018-T1B分离式半导体
NE34018-T1BNEC30001045+SOT343原盘原标 优势现货
NE34018中文资料Alldatasheet PDF
更多NE34018功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NE34018-64功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NE34018-64-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE34018-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE34018-EVGA19功能描述:射频开发工具 For NE34018-A Gain at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V
NE34018-EVNF19功能描述:射频开发工具 For NE34018-A Noise Figure at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V
NE34018-T1功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NE34018-T1-64功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NE34018-T1-64-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE34018-T1-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:



























