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深圳市坤融电子科技有限公司

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NECSOT343

5000

2025+

原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市科恒伟业电子有限公司

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4年 留言

NECSOT343

7850

23+

只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

深圳市胜彬电子有限公司

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14年 留言

NECSOT343

3000

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:¥0.01

原装正品,支持实单

深圳市维基鸿电子有限公司

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NECSOT343

10000

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全新原装现货库存

深圳市华康联电子科技有限公司

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NECSOT

98900

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原厂原装正品现货!!

深圳市东来宝电子科技有限公司

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NECSOT-343

663300

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郑重承诺只做原装进口现货

深圳深宇韬电子科技有限公司

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3年 留言

NECSOT343-4

8800

2023+

正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。

深圳诚思涵科技有限公司

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NECSOT

99680

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只做原装,欢迎来电资询

深圳市一线半导体有限公司

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17年 留言

3000

24+

公司存货

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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10年 留言

NEC原厂原封装

86720

26+

全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

深圳市一线半导体有限公司

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NECSOT-343SOT-323-4

6200

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新进库存/原装

深圳市创新迹电子有限公司

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NECSOT343-4

20000

22+

公司只做原装 品质保障

深圳市芯亿发电子科技有限公司

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NECSOT

20000

26+

公司只有正品,实单来谈

深圳市威雅利发展有限公司

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NECSOT343-4

890

2008

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市安富世纪电子有限公司

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    谢云

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NECSOT343-4

890

23+

全新原装正品现货,支持订货

深圳市盈慧通电子有限公司

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NECSOT343-4

890

26+

电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价!

深圳市智连鑫科技有限公司

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NECSOT

8000

26+

只有原装

深圳市威雅利发展有限公司

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TSSOP-14

10

25+

原厂原包装,终端BOM表可配单

深圳市清腾科技有限公司

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11年 留言

NECSOT

20000

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原装

深圳市维众兴电子有限公司

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NECSOT

20000

25+

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NE34018资讯

NE34018-T1B分离式半导体

NE34018-T1BNEC30001045+SOT343原盘原标 优势现货

NE34018中文资料Alldatasheet PDF

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NE34018功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NE34018-64功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NE34018-64-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

NE34018-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

NE34018-EVGA19功能描述:射频开发工具 For NE34018-A Gain at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V

NE34018-EVNF19功能描述:射频开发工具 For NE34018-A Noise Figure at 1.9 GHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 产品:Wireless Modules 类型:Wireless Audio 工具用于评估:WYSAAVDX7 频率: 工作电源电压:3.4 V to 5.5 V

NE34018-T1功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NE34018-T1-64功能描述:MOSFET L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

NE34018-T1-64-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:

NE34018-T1-A功能描述:射频GaAs晶体管 L-S Band Lo No Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: