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NE3515S02-T1D-A	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1D-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1C	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1C	文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages	XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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NE3515S02-T1C-A	文件：415.04 Kbytes Page：9 Pages	XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL
NE3515S02-T1D	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR XtoKu-BANDSUPERLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET FEATURES •Superlownoisefigure,highassociatedgainandmiddleoutputpower NF=0.3dBTYP.,Ga=12.5dBTYP.@f=12GHz,VDS=2V,ID=10mA PO(1dB)=+14dBmTYP.@f=12GHz,VDS=3V,ID=25mAset(Non-RF) •Micr	CEL California Eastern Labs	CEL
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产品属性

产品编号：
NE3515S02-T1D-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
HFET
频率：
12GHz
增益：
12.5dB
额定电流（安培）：
88mA
噪声系数：
0.3dB
功率 - 输出：
14dBm
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
S02
描述：
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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