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NE3515S02-T1C-A	文件：415.04 Kbytes Page：9 Pages	X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure, high associated gain and middle output power NF = 0.3 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 2 V, ID = 10 mA PO (1dB) = +14 dBm TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 3 V, ID = 25 mA set (Non-RF) • Micr 文件：415.04 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
NE3515S02-T1C-A	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure, high associated gain and middle output power NF = 0.3 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 2 V, ID = 10 mA PO (1dB) = +14 dBm TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 3 V, ID = 25 mA set (Non-RF) • Micr 文件：415.03 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
NE3515S02-T1C-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-SMD，扁平引线；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02	CEL	CEL
NE3515S02-T1D	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure, high associated gain and middle output power NF = 0.3 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 2 V, ID = 10 mA PO (1dB) = +14 dBm TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 3 V, ID = 25 mA set (Non-RF) • Micr 文件：415.03 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
NE3515S02-T1D	文件：225.18 Kbytes Page：12 Pages	X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET 文件：225.18 Kbytes 页数：12 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
NE3515S02-T1D-A	文件：415.03 Kbytes Page：9 Pages	HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET FEATURES • Super low noise figure, high associated gain and middle output power NF = 0.3 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 2 V, ID = 10 mA PO (1dB) = +14 dBm TYP. @ f = 12 GHz, VDS = 3 V, ID = 25 mA set (Non-RF) • Micr 文件：415.03 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL

产品属性

产品编号：
NE3515S02-T1C-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
HFET
频率：
12GHz
增益：
12.5dB
额定电流（安培）：
88mA
噪声系数：
0.3dB
功率 - 输出：
14dBm
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
S02
描述：
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02

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