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NE3515S02-T1D分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3515S02-T1D |
| 参数属性 | NE3515S02-T1D 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 |
| 功能描述 | X to Ku-BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
225.18 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | RENESAS |
| 中文名称 | 瑞萨 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-15 17:30:00 |
| 人工找货 | NE3515S02-T1D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
NE3515S02-T1D-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
12.5dB
- 额定电流（安培）：
88mA
- 噪声系数：
0.3dB
- 功率 - 输出：
14dBm
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
S02 |
2000 |
询价 | |||
NEC |
24+ |
SMT-86 |
3879 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 | ||
CEL |
25+ |
4-SMD 扁平引线 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
RENESAS |
25+ |
SMT-86 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
NEC |
2450+ |
SMT86 |
6540 |
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品! |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
2726 |
原厂原装正品 |
询价 | |||
RENESAS |
23+ |
SO2 |
20000 |
询价 | |||
RENESAS |
24+ |
SO2 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
SO2 |
8000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
询价 |
