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NE3514S02-T1C-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3514S02-T1C-A |
| 参数属性 | NE3514S02-T1C-A 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：HJ-FET NCH 10DB S02 |
| 功能描述 | K BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
269.67 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-5 23:00:00 |
| 人工找货 | NE3514S02-T1C-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3514S02-T1C-A规格书详情
NE3514S02-T1C-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3514S02-T1C-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3514S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
20GHz
- 增益：
10dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.75dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 10DB S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
1957 |
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