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NE3512S02-T1C-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3512S02-T1C-A |
| 参数属性 | NE3512S02-T1C-A 封装/外壳为4-SMD，扁平引线；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 4-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
270.66 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-6 11:06:00 |
| 人工找货 | NE3512S02-T1C-A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3512S02-T1C-A规格书详情
NE3512S02-T1C-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3512S02-T1C-A晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3512S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.35dB
- 封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 13.5DB S02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
58000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
NEC |
06+ |
TO-50 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-50 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
S02 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
NEC |
09+PBF |
S02 |
209 |
现货 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
TO-50 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
65300 |
一级代理/放心采购 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
TO-50 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
NEC |
09+PBF |
S02 |
87 |
原装现货支持BOM配单服务 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
TO-50 |
60000 |
询价 |
