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NE3510M04-T2分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3510M04-T2 |
| 参数属性 | NE3510M04-T2 封装/外壳为SOT-343F；包装为托盘；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频；产品描述：FET RF 4V 4GHZ M04 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 文件大小 |
180.75 Kbytes |
| 页面数量 |
11 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Laboratories |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-23 23:00:00 |
NE3510M04-T2规格书详情
NE3510M04-T2属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3510M04-T2晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
- 产品编号：
NE3510M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
4GHz
- 增益：
16dB
- 额定电流（安培）：
97mA
- 噪声系数：
0.45dB
- 封装/外壳：
SOT-343F
- 供应商器件封装：
M04
- 描述：
FET RF 4V 4GHZ M04
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
NA/ |
9250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
23+ |
M04 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
RENESAS(瑞萨)/IDT |
20+ |
M04 |
3000 |
询价 | |||
NEC |
SOT343 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
询价 | |||
NEC |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
询价 | ||||
RENESAS/瑞萨 |
22+/23+ |
SOT343 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
SOT343 |
货真价实,假一罚十 |
25000 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT343 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
CEL |
2022+ |
M04 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
RENESAS |
2018+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
询价 |
