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NE3503M04-T2B分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

NE3503M04-T2B
厂商型号

NE3503M04-T2B

参数属性

NE3503M04-T2B 封装/外壳为4-SMD,扁平引线;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 4V 12GHZ M04

功能描述

C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

封装外壳

4-SMD,扁平引线

文件大小

206.76 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
RENESAS
数据手册

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更新时间

2025-8-4 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    NE3503M04-T2B-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    12GHz

  • 增益:

    12dB

  • 额定电流(安培):

    70mA

  • 噪声系数:

    0.45dB

  • 封装/外壳:

    4-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装:

    M04

  • 描述:

    FET RF 4V 12GHZ M04

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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