NE3503M04分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3503M04 |
| 参数属性 | NE3503M04 封装/外壳为SOT-343F；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 12GHZ M04 |
| 功能描述 | NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET |
| 封装外壳 | SOT-343F |
| 文件大小 |
394.61 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 23:00:00 |
| 人工找货 | NE3503M04价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3503M04规格书详情
NE3503M04属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3503M04晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3503M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
12GHz
- 增益：
12dB
- 额定电流（安培）：
70mA
- 噪声系数：
0.45dB
- 封装/外壳：
SOT-343F
- 供应商器件封装：
M04
- 描述：
FET RF 4V 12GHZ M04
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
NA/ |
60000 |
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询价 | ||
NEC |
2016+ |
SOT343 |
6532 |
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询价 | ||
NE |
23+ |
SOT343 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
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RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-343 |
20300 |
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NEC/原装 |
23+ |
SOT-343 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT343 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
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RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT343 |
8678 |
原厂原装 |
询价 | ||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
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RENESAS |
19+ |
SOT-343 |
20000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT343 |
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