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NE3509M04-T2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

NE3509M04-T2

参数属性

NE3509M04-T2 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 4V 2GHZ SOT-343

功能描述

L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
FET RF 4V 2GHZ SOT-343

封装外壳

SOT-343F

文件大小

284.01 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

CEL

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 20:00:00

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NE3509M04-T2规格书详情

NE3509M04-T2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3509M04-T2晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NE3509M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    HFET

  • 频率:

    2GHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 额定电流(安培):

    60mA

  • 噪声系数:

    0.4dB

  • 功率 - 输出:

    11dBm

  • 封装/外壳:

    SOT-343F

  • 供应商器件封装:

    M04

  • 描述:

    FET RF 4V 2GHZ SOT-343

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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