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NE3509M04-T2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NE3509M04-T2 |
| 参数属性 | NE3509M04-T2 封装/外壳为SOT-343F；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：FET RF 4V 2GHZ SOT-343 |
| 功能描述 | L TO S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
| 封装外壳 | SOT-343F |
| 文件大小 |
284.01 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | California Eastern Labs |
| 企业简称 |
CEL |
| 中文名称 | California Eastern Labs官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-10 11:42:00 |
| 人工找货 | NE3509M04-T2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3509M04-T2规格书详情
NE3509M04-T2属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3509M04-T2晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号：
NE3509M04-T2-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
HFET
- 频率：
2GHz
- 增益：
17.5dB
- 额定电流（安培）：
60mA
- 噪声系数：
0.4dB
- 功率 - 输出：
11dBm
- 封装/外壳：
SOT-343F
- 供应商器件封装：
M04
- 描述：
FET RF 4V 2GHZ SOT-343
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
SOT-343 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT-343 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-343 |
87812 |
现货,原厂原装假一罚十! |
询价 | ||
CEL |
23+ |
原厂原包 |
19960 |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
BGA |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SOT-343 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
NEC/RENESAS |
24+ |
SOT-343 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
17+ |
SOT-343 |
1930 |
原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-343 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-343 |
6000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 |
