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NE3509M04-A分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
NE3509M04-A |
参数属性 | NE3509M04-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI |
功能描述 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
封装外壳 | SOT-343F |
文件大小 |
1.27717 Mbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | California Eastern Labs |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Labs官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 13:30:00 |
人工找货 | NE3509M04-A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NE3509M04-A规格书详情
NE3509M04-A属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由California Eastern Labs制造生产的NE3509M04-A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
NE3509M04-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
2GHz
- 增益:
17.5dB
- 额定电流(安培):
60mA
- 噪声系数:
0.4dB
- 功率 - 输出:
11dBm
- 封装/外壳:
SOT-343F
- 供应商器件封装:
M04
- 描述:
FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
S-Mini4P |
1958 |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
BGA |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
NEC/RENES |
23+ |
SOT-343 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-343 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT-343 |
30000 |
只做原装正品 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SOT-343 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-343 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
65300 |
一级代理/放心购买! |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SOT-343 |
10000 |
全新原装 公司现货 价格优 |
询价 |