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NE3509M04-A分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NE3509M04-A |
参数属性 | NE3509M04-A 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI |
功能描述 | L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
文件大小 |
1.27717 Mbytes |
页面数量 |
11 页 |
生产厂商 | California Eastern Laboratories |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-25 18:47:00 |
NE3509M04-A规格书详情
NE3509M04-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。California Eastern Laboratories制造生产的NE3509M04-A晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
NE3509M04-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
HFET
- 频率:
2GHz
- 增益:
17.5dB
- 额定电流(安培):
60mA
- 噪声系数:
0.4dB
- 功率 - 输出:
11dBm
- 封装/外壳:
SOT-343F
- 供应商器件封装:
M04
- 描述:
FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AD |
1742+ |
SOT23-5 |
98215 |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
询价 | ||
CEL |
17+ |
原厂原封 |
2500 |
原装正品 |
询价 | ||
NEC |
2023+ |
SOT343 |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
SOT-343 |
6000 |
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询价 | ||
NEC |
08+ |
SOT343 |
180 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
17+ |
SOT-343 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT343 |
30000 |
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询价 | ||
NEC |
22+23+ |
SOT-343 |
43343 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
NA/ |
4537 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
NEC |
589220 |
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